WB-P6-5

Wisebiz Limited
Facteur de remplissage
80,58 - 81,06 %
Efficacité de la Cellule
18,7 - 19,6 %
Technologie
Polycristallin
Gamme de Puissance
4,595 - 4,791 Wp
Région
Chine Chine
Dimension
156.75×156.75 mm
Epaisseur de la cellule
180/200 ± 30 µm
Nb de busbars
5
Nombre de Zones de Soudure
5
Largeur de la Zone de Soudure
1.8±0.5 mm
Matière de la Zone de Soudure
Argent
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Classes de rendement 18,7–19,6 %
Cellules 156,75 × 156,75 mm, ±0,3 mm
AR nitrure de silicium, busbars Ag, champ arrière Al

Caractéristiques du Produit

No. de Modèle
4,595 4,619 4,644 4,668 4,693 4,718 4,742 4,767 4,791
Type Cellules Solaires
Type de cellules Polycristallin
Dimension 156,75×156,75 mm
L. diagonale 210±0,5 mm
Epaisseur de la cellule 180/200 ± 30 µm
 
Nb de busbars 5
Matériau des bus bars Argent
Traitement Antireflet Nitrure de silicium
 
Nombre de Zones de Soudure 5
Largeur de la Zone de Soudure 1,8±0,5 mm
Matière de la Zone de Soudure Argent
Champ de surface arrière (BSF) (BSF) Aluminium
 
Puissance Maximal (Pmax)
4,595 W 4,619 W 4,644 W 4,668 W 4,693 W 4,718 W 4,742 W 4,767 W 4,791 W
Tension à Puissance Maximal (Vmpp)
0,539 V 0,54 V 0,541 V 0,542 V 0,543 V 0,544 V 0,546 V 0,547 V 0,548 V
Courant à Puissance Maximum (Impp)
8,563 A 8,59 A 8,617 A 8,635 A 8,664 A 8,689 A 8,714 A 8,738 A 8,763 A
Tension Circuit Ouvert (Voc)
0,634 V 0,635 V 0,635 V 0,637 V 0,637 V 0,639 V 0,64 V 0,641 V 0,643 V
Courant Circuit Court (Isc)
9,034 A 9,059 A 9,086 A 9,102 A 9,126 A 9,15 A 9,175 A 9,199 A 9,223 A
Efficacité de la Cellule
18,7-18,8 % 18,8-18,9 % 18,9-19,0 % 19,0-19,1 % 19,1-19,2 % 19,2-19,3 % 19,3-19,4 % 19,4-19,5 % 19,5-19,6 %
Facteur de remplissage (FF)
80,58 % 80,64 % 80,8 % 80,72 % 80,93 % 80,84 % 81,03 % 81,06 % 80,97 %
 
Coefficient Température (Pmax) -0,3782 %/˚C
Coefficient Température (Voc) -0,3238 %/˚C
Coefficient Température (lsc) 0,0611 %/˚C
Dépendance de l’intensité
Intensité
Voc
Vmpp
1000 W/m2
--
100
900 W/m2
--
99,6
500 W/m2
--
97,4
300 W/m2
--
94,9
200 W/m2
--
92,9
 
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Wisebiz Limited

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www.wisebiz.net
Chine Chine
Bao'an District, Shenzhen, Guangdong
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