No. de Modèle
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DAS-PM2S9B 5,2
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DAS-PM2S9B 5,23
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DAS-PM2S9B 5,25
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DAS-PM2S9B 5,28
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DAS-PM2S9B 5,3
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DAS-PM2S9B 5,33
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DAS-PM2S9B 5,35
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DAS-PM2S9B 5,38
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DAS-PM2S9B 5,4
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DAS-PM2S9B 5,42
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DAS-PM2S9B 5,45
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DAS-PM2S9B 5,47
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Caractéristiques du Produit
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Type de cellules
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Monocristallin
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Dimension
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156,75×156,75 mm
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Epaisseur de la cellule
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210±0,25 mm
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Epaisseur de la cellule
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180 ± 20 µm
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Face avant (-)
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Largeur des bus bars
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0,06±0,01 mm
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Matériau des bus bars
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Argent
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Traitement Antireflet
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Nitrure de silicium
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Face arrière (+)
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Largeur la de Zone de Soudure
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1,67±0,1 mm
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Matière la de zone de soudure
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Argent
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Champ de surface arrière (BSF)
(BSF)
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Aluminium
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Caractéstique Electrique (STC)
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Puissance Maximal
(Pmax)
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5,2 W
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5,23 W
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5,25 W
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5,28 W
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5,3 W
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5,33 W
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5,35 W
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5,38 W
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5,4 W
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5,42 W
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5,45 W
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5,47 W
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Tension à Puissance Maximal
(Vmpp)
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0,563 V
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0,564 V
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0,565 V
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0,567 V
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0,569 V
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0,571 V
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0,572 V
|
0,573 V
|
0,574 V
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0,575 V
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0,576 V
|
0,575 V
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Courant à Puissance Maximum
(Impp)
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9,261 A
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9,291 A
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9,319 A
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9,343 A
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9,364 A
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9,372 A
|
9,383 A
|
9,411 A
|
9,435 A
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9,457 A
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9,481 A
|
9,421 A
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Tension Circuit Ouvert
(Voc)
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0,666 V
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0,667 V
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0,668 V
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0,669 V
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0,67 V
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0,671 V
|
0,672 V
|
0,673 V
|
0,674 V
|
0,675 V
|
0,676 V
|
0,677 V
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Courant Circuit Court
(Isc)
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9,771 A
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9,877 A
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9,806 A
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9,83 A
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9,844 A
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9,865 A
|
9,87 A
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9,889 A
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9,903 A
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9,919 A
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9,929 A
|
9,94 A
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Efficacité de la Cellule
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21,3 %
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21,4 %
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21,5 %
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21,6 %
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21,7 %
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21,8 %
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21,9 %
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22 %
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22,1 %
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22,2 %
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22,3 %
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22,4 %
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Facteur de remplissage
(FF)
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80,09 %
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80,26 %
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80,44 %
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80,6 %
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80,76 %
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80,83 %
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80,92 %
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81,03 %
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81,14 %
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81,22 %
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81,36 %
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81,49 %
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Caractéristique de Température
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Coefficient Température (Pmax)
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-0,38 %/˚C
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Coefficient Température (Voc)
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-0,31 %/˚C
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Coefficient Température (lsc)
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0,048 %/˚C
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PDF
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