TSS65TN (4Pads)

TSEC Corporation
Facteur de remplissage
79,48 - 80,91 %
Efficacité de la Cellule
20,2 - 22,3 %
Technologie
PERC
Gamme de Puissance
4,94 - 5,45 Wp
Région
Taïwan Taïwan
Dimension
156.75×156.75 mm
Epaisseur de la cellule
180/200 ± 30 µm
Nb de busbars
5
Largeur des Busbars
0.7±0.1 mm
Nombre de Zones de Soudure
5
Largeur de la Zone de Soudure
1.5±0.15 mm
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Caractéristiques du Produit

No. de Modèle
202 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223
Type de cellules PERC
Dimension 156,75×156,75 mm
L. diagonale 210 mm
Epaisseur de la cellule 180/200 ± 30 µm
 
Nb de busbars 5
Largeur des Busbars 0,7±0,1 mm
Traitement Antireflet Nitrure de silicium
 
Nombre de Zones de Soudure 5
Largeur de la Zone de Soudure 1,5±0,15 mm
Champ de surface arrière (BSF) (BSF) Aluminium
 
Puissance Maximal (Pmax)
4,94 W 5,11 W 5,13 W 5,16 W 5,18 W 5,2 W 5,23 W 5,25 W 5,28 W 5,3 W 5,33 W 5,35 W 5,38 W 5,4 W 5,42 W 5,45 W
Tension à Puissance Maximal (Vmpp)
0,541 V 0,556 V 0,558 V 0,56 V 0,562 V 0,564 V 0,566 V 0,568 V 0,57 V 0,572 V 0,573 V 0,575 V 0,577 V 0,578 V 0,58 V 0,581 V
Courant à Puissance Maximum (Impp)
9,115 A 9,177 A 9,19 A 9,206 A 9,218 A 9,231 A 9,243 A 9,252 A 9,261 A 9,274 A 9,29 A 9,306 A 9,322 A 9,336 A 9,351 A 9,374 A
Tension Circuit Ouvert (Voc)
0,639 V 0,658 V 0,662 V 0,663 V 0,665 V 0,666 V 0,668 V 0,669 V 0,671 V 0,673 V 0,674 V 0,675 V 0,677 V 0,678 V 0,68 V 0,681 V
Courant Circuit Court (Isc)
9,636 A 9,712 A 9,746 A 9,756 A 9,765 A 9,776 A 9,781 A 9,786 A 9,794 A 9,806 A 9,82 A 9,834 A 9,849 A 9,862 A 9,877 A 9,885 A
Efficacité de la Cellule
20,2 % 20,9 % 21 % 21,1 % 21,2 % 21,3 % 21,4 % 21,5 % 21,6 % 21,7 % 21,8 % 21,9 % 22 % 22,1 % 22,2 % 22,3 %
Facteur de remplissage (FF)
80,09 % 79,84 % 79,48 % 79,7 % 79,78 % 79,96 % 80,07 % 80,27 % 80,32 % 80,38 % 80,43 % 80,61 % 80,67 % 80,7 % 80,75 % 80,91 %
 
Coefficient Température (Pmax) -0,3535 %/˚C
Coefficient Température (Voc) -0,2903 %/˚C
Coefficient Température (lsc) 0,0423 %/˚C
 
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Taïwan Taïwan
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