No. de Modèle
|
DMTD4B157-210 4,79
|
DMTD4B157-210 4,81
|
DMTD4B157-210 4,84
|
DMTD4B157-210 4,86
|
DMTD4B157-210 4,89
|
DMTD4B157-210 4,91
|
DMTD4B157-210 4,94
|
DMTD4B157-210 4,96
|
DMTD4B157-210 4,98
|
|
Caractéristiques du Produit
|
|
Type de cellules
|
Monocristallin
|
Dimension
|
156,75×156,75 mm
|
Epaisseur de la cellule
|
210±0,5 mm
|
Epaisseur de la cellule
|
220 ± 20 µm
|
Face avant (-)
|
|
No. de bus bars
|
4
|
Largeur des bus bars
|
1,1 mm
|
Matériau des bus bars
|
Argent
|
Traitement Antireflet
|
Nitrure de silicium
|
Face arrière (+)
|
|
Nombre de zone de soudure
|
4
|
Largeur la de Zone de Soudure
|
1,7 mm
|
Matière la de zone de soudure
|
Argent
|
Champ de surface arrière (BSF)
(BSF)
|
Aluminium
|
Caractéstique Electrique (STC)
|
|
Puissance Maximal
(Pmax)
|
4,79 W
|
4,81 W
|
4,84 W
|
4,86 W
|
4,89 W
|
4,91 W
|
4,94 W
|
4,96 W
|
4,98 W
|
|
Tension à Puissance Maximal
(Vmpp)
|
0,54 V
|
0,541 V
|
0,541 V
|
0,542 V
|
0,542 V
|
0,543 V
|
0,543 V
|
0,544 V
|
0,544 V
|
|
Courant à Puissance Maximum
(Impp)
|
8,87 A
|
8,891 A
|
8,946 A
|
8,967 A
|
9,022 A
|
9,042 A
|
9,088 A
|
9,118 A
|
9,154 A
|
|
Tension Circuit Ouvert
(Voc)
|
0,64 V
|
0,641 V
|
0,641 V
|
0,642 V
|
0,642 V
|
0,643 V
|
0,643 V
|
0,644 V
|
0,644 V
|
|
Courant Circuit Court
(Isc)
|
9,379 A
|
9,403 A
|
9,45 A
|
9,474 A
|
9,521 A
|
9,545 A
|
9,591 A
|
9,615 A
|
9,642 A
|
|
Efficacité de la Cellule
|
19,6-19,7 %
|
19,7-19,8 %
|
19,8-19,9 %
|
19,9-20 %
|
20-20,1 %
|
20,1-20,2 %
|
20,2-20,3 %
|
20,3-20,4 %
|
20,4 %
|
|
Facteur de remplissage
(FF)
|
79,8 %
|
79,8 %
|
79,9 %
|
79,91 %
|
80 %
|
80 %
|
80,02 %
|
80,11 %
|
80,2 %
|
|
Caractéristique de Température
|
|
Coefficient Température (Pmax)
|
-0,42 %/˚C
|
Coefficient Température (Voc)
|
-0,32 %/˚C
|
Coefficient Température (lsc)
|
0,043 %/˚C
|
Dépendance de l’intensité
|
|
PDF
|
|
Télécharger le PDF du Fabricant
|
|