No. de Modèle
|
TSS65TN 4,94
|
TSS65TN 4,98
|
TSS65TN 5,03
|
TSS65TN 5,06
|
TSS65TN 5,08
|
TSS65TN 5,11
|
TSS65TN 5,13
|
TSS65TN 5,16
|
TSS65TN 5,18
|
TSS65TN 5,20
|
TSS65TN 5,23
|
|
Caractéristiques du Produit
|
|
Type de cellules
|
Monocristallin
|
Dimension
|
156×156 mm
|
Epaisseur de la cellule
|
208 mm
|
Epaisseur de la cellule
|
180/200 µm
|
Face avant (-)
|
|
No. de bus bars
|
5
|
Largeur des bus bars
|
0,7±0,1 mm
|
Traitement Antireflet
|
Nitrure de silicium
|
Face arrière (+)
|
|
Nombre de zone de soudure
|
5
|
Largeur la de Zone de Soudure
|
2±0,15 mm
|
Champ de surface arrière (BSF)
(BSF)
|
Aluminium
|
Caractéstique Electrique (STC)
|
|
Puissance Maximal
(Pmax)
|
4,94 W
|
4,98 W
|
5,03 W
|
5,06 W
|
5,08 W
|
5,11 W
|
5,13 W
|
5,16 W
|
5,18 W
|
5,2 W
|
5,23 W
|
|
Tension à Puissance Maximal
(Vmpp)
|
0,547 V
|
0,552 V
|
0,557 V
|
0,559 V
|
0,561 V
|
0,563 V
|
0,565 V
|
0,567 V
|
0,569 V
|
0,57 V
|
0,571 V
|
|
Courant à Puissance Maximum
(Impp)
|
9,027 A
|
9,031 A
|
9,041 A
|
9,051 A
|
9,059 A
|
9,071 A
|
9,084 A
|
9,097 A
|
9,104 A
|
9,129 A
|
9,156 A
|
|
Tension Circuit Ouvert
(Voc)
|
0,648 V
|
0,654 V
|
0,659 V
|
0,661 V
|
0,663 V
|
0,665 V
|
0,666 V
|
0,667 V
|
0,671 V
|
0,67 V
|
0,671 V
|
|
Courant Circuit Court
(Isc)
|
9,57 A
|
9,572 A
|
9,587 A
|
9,598 A
|
9,608 A
|
9,616 A
|
9,626 A
|
9,636 A
|
9,646 A
|
9,654 A
|
9,675 A
|
|
Efficacité de la Cellule
|
20,2 %
|
20,4 %
|
20,6 %
|
20,7 %
|
20,8 %
|
20,9 %
|
21 %
|
21,1 %
|
21,2 %
|
21,3 %
|
21,4 %
|
|
Facteur de remplissage
(FF)
|
79,62 %
|
79,63 %
|
79,71 %
|
79,75 %
|
79,78 %
|
79,86 %
|
80,06 %
|
80,25 %
|
80,03 %
|
80,45 %
|
80,53 %
|
|
Caractéristique de Température
|
|
Coefficient Température (Pmax)
|
-0,38 %/˚C
|
Coefficient Température (Voc)
|
-0,3 %/˚C
|
Coefficient Température (lsc)
|
0,043 %/˚C
|
PDF
|
|
Télécharger le PDF du Fabricant
|
|