6'' Mono

MOSPEC Semiconductor Corporation

Prix par Pièce
Quantité Minimale	160+ Pcs
Délai de livraison	1 days
LWNM18BB-G12-11.16W	€0,389

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80,47 ~ 85,35 %

21,5 ~ 26,10 %

TOPCon

5,42 ~ 11,51 Wp

210x210 mm

130 µm

0.05±0.035 mm

Argent

Facteur de remplissage

74,9 - 77,13 %

Efficacité de la Cellule

17 - 18,49 %

Technologie

Monocristallin

Gamme de Puissance

4,07 - 4,4 Wp

Région

Taïwan

Dimension

156×156 mm

Epaisseur de la cellule

180 ± 30 µm

Nb de busbars

Largeur des Busbars

75 mm

Nombre de Zones de Soudure

Largeur de la Zone de Soudure

75 mm

Information de Produit
Profil d'entreprise

Caractéristiques du Produit

No. de Modèle

6S 170

6S 171

6S 172

6S 173

6S 174

6S 175

6S 176

6S 177

6S 178

6S 179

6S 180

6S 181

6S 182

6S 183

6S 184

Type de cellules

Monocristallin

Dimension

156×156 mm

L. diagonale

200±1 mm

Epaisseur de la cellule

180 ± 30 µm

Nb de busbars

Largeur des Busbars

75 mm

Traitement Antireflet

Nitrure de silicium

Nombre de Zones de Soudure

Largeur de la Zone de Soudure

75 mm

Puissance Maximal (Pmax)

4,07 W

4,09 W

4,11 W

4,14 W

4,17 W

4,19 W

4,21 W

4,24 W

4,26 W

4,28 W

4,31 W

4,33 W

4,35 W

4,38 W

4,4 W

Tension à Puissance Maximal (Vmpp)

0,506 V

0,507 V

0,508 V

0,509 V

0,511 V

0,512 V

0,513 V

0,515 V

0,516 V

0,517 V

0,519 V

0,52 V

0,521 V

0,522 V

0,523 V

Courant à Puissance Maximum (Impp)

8,04 A

8,06 A

8,1 A

8,14 A

8,16 A

8,18 A

8,21 A

8,23 A

8,25 A

8,28 A

8,31 A

8,32 A

8,35 A

8,39 A

8,42 A

Tension Circuit Ouvert (Voc)

0,62 V

0,621 V

0,622 V

0,623 V

0,624 V

0,625 V

0,626 V

0,627 V

0,628 V

0,629 V

0,63 V

0,631 V

0,632 V

0,633 V

Courant Circuit Court (Isc)

8,76 A

8,77 A

8,78 A

8,8 A

8,82 A

8,84 A

8,86 A

8,88 A

8,89 A

8,9 A

8,92 A

8,93 A

8,96 A

8,99 A

9,02 A

Efficacité de la Cellule

17-17,09 %

17,1-17,19 %

17,2-17,29 %

17,3-17,39 %

17,4-17,49 %

17,5-17,59 %

17,6-17,69 %

17,7-17,79 %

17,8-17,89 %

17,9-17,99 %

18-18,09 %

18,1-18,19 %

18,2-18,29 %

18,3-18,39 %

18,4-18,49 %

Facteur de remplissage (FF)

74,9 %

75,03 %

75,35 %

75,57 %

75,76 %

75,8 %

75,94 %

76,12 %

76,25 %

76,59 %

76,87 %

76,9 %

76,95 %

77,08 %

77,13 %

Coefficient Température (Pmax)

-0,45 %/˚C

Coefficient Température (Voc)

-0,35 %/˚C

Coefficient Température (lsc)

0,04 %/˚C

Dépendance de l’intensité

Intensité

Voc

Vmpp

1000 W/m²

800 W/m²

0,989

500 W/m²

0,968

300 W/m²

0,946

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Fiche Technique

MOSPEC Semiconductor Corporation

: Click to show company phone
: https://www.mospec.com.tw
: Taïwan
: No.76, Chungshan Road, Hsinshin Township, Tainan

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