5'' Mono

MOSPEC Semiconductor Corporation
Facteur de remplissage
75,52 - 78,07 %
Efficacité de la Cellule
17 - 18,69 %
Technologie
Monocristallin
Gamme de Puissance
2,64 - 2,87 Wp
Région
Taïwan Taïwan
Dimension
125×125 mm
Epaisseur de la cellule
190 ± 30 µm
Nb de busbars
2
Largeur des Busbars
62 mm
Nombre de Zones de Soudure
2

Caractéristiques du Produit

No. de Modèle
5L 170 5L 171 5L 172 5L 173 5L 174 5L 175 5L 176 5L 177 5L 178 5L 179 5L180 5L 181 5L 182 5L 183 5L 184 5L 185 5L 186
Type de cellules Monocristallin
Dimension 125×125 mm
L. diagonale 165±1 mm
Epaisseur de la cellule 190 ± 30 µm
 
Nb de busbars 2
Largeur des Busbars 62 mm
Traitement Antireflet Nitrure de silicium
 
Nombre de Zones de Soudure 2
 
Puissance Maximal (Pmax)
2,64 W 2,65 W 2,66 W 2,68 W 2,7 W 2,72 W 2,73 W 2,75 W 2,77 W 2,78 W 2,8 W 2,81 W 2,82 W 2,83 W 2,85 W 2,86 W 2,87 W
Tension à Puissance Maximal (Vmpp)
0,514 V 0,515 V 0,516 V 0,517 V 0,519 V 0,519 V 0,52 V 0,523 V 0,524 V 0,525 V 0,525 V 0,525 V 0,526 V 0,526 V 0,527 V 0,527 V 0,528 V
Courant à Puissance Maximum (Impp)
5,13 A 5,15 A 5,16 A 5,18 A 5,2 A 5,24 A 5,25 A 5,26 A 5,29 A 5,3 A 5,33 A 5,35 A 5,37 A 5,39 A 5,41 A 5,43 A 5,45 A
Tension Circuit Ouvert (Voc)
0,628 V 0,628 V 0,628 V 0,629 V 0,63 V 0,63 V 0,63 V 0,631 V 0,632 V 0,632 V 0,633 V 0,633 V 0,634 V 0,634 V 0,634 V 0,636 V 0,638 V
Courant Circuit Court (Isc)
5,56 A 5,57 A 5,58 A 5,59 A 5,6 A 5,63 A 5,66 A 5,69 A 5,71 A 5,71 A 5,72 A 5,72 A 5,73 A 5,75 A 5,76 A 5,79 A 5,8 A
Efficacité de la Cellule
17-17,09 % 17,1-17,19 % 17,2-17,29 % 17,3-17,39 % 17,4-17,49 % 17,5-17,59 % 17,6-17,69 % 17,7-17,79 % 17,8-17,89 % 17,9-17,99 % 18-18,09 % 18,1-18,19 % 18,2-18,29 % 18,3-18,39 % 18,4-18,49 % 18,5-18,59 % 18,6-18,69 %
Facteur de remplissage (FF)
75,52 % 75,82 % 75,98 % 76,17 % 76,5 % 76,67 % 76,56 % 76,62 % 76,81 % 77,1 % 77,28 % 77,57 % 77,75 % 77,77 % 78,07 % 77,71 % 77,76 %
 
Coefficient Température (Pmax) -0,45 %/˚C
Coefficient Température (Voc) -0,44 %/˚C
Coefficient Température (lsc) -0,044 %/˚C
Dépendance de l’intensité
Intensité
Voc
Vmpp
1000 W/m2
1
--
800 W/m2
0,989
--
500 W/m2
0,968
--
300 W/m2
0,946
--
 
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MOSPEC Semiconductor Corporation

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No.76, Chungshan Road, Hsinshin Township, Tainan
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